Samsung Lancio SSD 3D V-NAND di sesta generazione

Samsung Electronics ha annunciato oggi di aver iniziato la produzione di massa per il lancio del drive a stato solido (SSD) da 250 gigabyte (GB) SATA. Si tratta di drive che integrano la sesta generazione (1xx-layer) di 3-bit V-NAND a 256-gigabit (Gb) per assemblaori PC OEM. Con il lancio di una nuova generazione di V-NAND in appena 13 mesi, Samsung ha ridotto il ciclo della produzione di massa di quattro mesi. In tal modo assicurando le massime prestazioni ed il risparmio energetico.

Kye Hyun Kyung, executive vice president di Solution Product & Development in Samsung Electronics, ha dichiarato:

Portando l’ultima innovativa tecnologia 3D memory ad un massiccio livello produttivo, siamo ora in grado di presentare periodicamente serie di memorie che elevano significativamente l’asticella della velocità e del risparmio. Con cicli di sviluppo più rapidi per i prodotti V-NAND di prossima generazione, valutiamo di espandere rapidamente il mercato di soluzioni basate su SSD V-NAND 512 Gb ad alta velocità e alta capacità.”

L’unico die di memoria 3D  Single-stack con un progetto a più di 100 strati.
La sesta generazione di V-NAND Samsung beneficia del data transfer rate più rapido del mercato. Il risultato è ottenuto capitalizzando sulle diverse caratteristiche di frontiera aziendali che stanno portando la memoria 3D a nuovi livelli.

Utilizzando la tecnologia, unica di Samspung, denominata channel hole etching, la nuova V-NAND aggiunge circa il 40 per cento di nuove celle al precedente layer 9x-layer single-stack structure. Tale traguardo viene raggiunto costruiendo uno stack di stampi elettricamente conduttivi in 136 livelli. Lo stack viene quindi intagliato verticalmente con fori cilindrici, creando celle uniformi in 3D charge trap flash (CTF).

Man mano che lo stack di stampi in ciascuna cella cresce in altezza, i chips NAND flash diverranno più vulnerabili ad errori. Per superare tali limitazioni,  Samsung ha aggiunto un progetto circuitale ad alta velocità. nTale progetto consente di raggiungere la massima velocità di trasferimento dati, a meno di 450 microseconds (μs) per operazioni di scrittura e meno di 45μs per le letture. A confronto con la precedente generazione, ciò rappresenta un miglioramento di oltre il1 10 per cento di prestazioni, mentre il consumo di energia si riduce di oltre il 15 per cento.

Grazie alla produzione ottimizzata per la veocità,  Samsung potrà offrire soluzioni V-NAND di nuova generazione con oltre 300 strati. L’azienda monterà tre degli stack attuali, senza compromettere le prestazioni o l’affidabilità del chip.

Inoltre, il numero dei fori di canale richiesti per creare un chip con densità di 256 Gb è diminuito a 670 milioni di fori dagli oltre 930 milioni della generazione precedente. Ciò porterà a chip di forma ridotta ed un numero inferiore di passaggi nel processo. Questo comporterà un miglioramento di oltre il 20 per cento in produttività industriale.

Grazie alle caratteristiche di alta velocità e basso consumo, Samsung conta di portare i 3D V-NAND in aree tipo devices mobile di prossima generazione. Anche  server enterprise, e nel mercato automotivo, dove un’alta affidabilità è estremamente necessaria, è previstsa la crescita.

A seguito dell’annuncio odierno, i piani di Samsung valutano il lancio dello SSD 512 Gb 3-bit V-NAND ed eUFS nella seconda metà dell’anno in corso. L’azienda si aspetta anche di espandere la propria produzione di soluzioni V_NAND a maggiore velocità e capacità. Ciò avverrà non appena il campus di Pyeongtaek (Corea) inizierà, il prossimo anno, a soddisfare meglio le richieste dei clienti.