Samsung chips DDR4 da 32Gb – Inizio fase di test
Samsung ha iniziato la pre-produzione di chips DDR4 a 2666 MHz da 32Gb. Sarà presto possibile utilizzare la tecnologia a 10nm per la produzione delle DRAM
Samsung ha iniziato la fase di prototipizzazione per i chips da 32Gb (Gigabit), ovvero 4 GB per circuito integrato. Al momento girano voci riguardo un chip DDR4 A-die con una velocità di 2666 MHz su tale capacità. Nei prossimi mesi si prevede che l’azienda estenderà la produzione ad altri tipi di chip DDR4.
Lo scorso anno Samsung aveva già annunciato di aver iniziato la produzione di massa delle DDR4 di seconda generazione a 10 nanometri. L’incremento di densità ha i suoi benefici secondo quanto riportato da Anand.
I chip Samsung da 32 Gb A-die DDR4-2666 sono costituiti da due die sovrapposti da 16 Gb DDR4 prodotti utilizzando il processo produttivo aziendale da 10nm. Samsung offre due versioni di package DDR4 da 32 Gb: una dotata di organizzazione 2G x8, l’altra che presenta organizzazione 1G x16. La prima viene vista dai controller di memoria come due device separati, mentre la seconda viene considerata come un unico device DRAM. Il DDP (dual die package) viene fornito con fattore di forma standard 78 o 96-ball FBGA ed utilizza una tensione standard a 1.2 V.
Gamesource aveva presentato l’informazione lo scorso marzo.
Le specifiche DDR4 JEDEC descrivono esclusivamente device di memoria da Gb, 8Gb, e 16 Gb. Pertanto, i produttori di DRAM dovranno utilizzare tecniche di produzione avanzate per costruire chips da utilizzare in moduli di memoria ad elevata capacità per server e workstation.
La tecnologia DDP non risulta particolarmente innovativa, ma i DDP DDR4.2666 da 32 Gb sono una esclusiva di Samsung.
