TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ha annunciato di aver completato il progetto infrastrutturale per il processo produttivo del silicio a 5 nm. Ciò rappresenta il passaggio successivo nell’evoluzione dei metodi di trattamento del silicio nei confronti di problematiche legate alla densità ed alla performance. Il processo a 5 nm proposto da TSMC rappresenta il fulcro dell’azienda nel raggiungimento della seconda e più avanzata implementazione della loro tecnologia EUV (Extreme Ultra Violet). Tale tecnologia aveva già superato brillantemente il primo step in seguito all’integrazione del processo produttivo a 7 nm. Con questi presupposti sarà dunque possibile ottenere rese più vantaggiose e benefici di performance.
Secondo un portavoce di TSMC, il processo produttivo a 5 nm consentirebbe di innalzare la densità delle logiche del loro processo a 7 nm di un fattore 1.8. A ciò si aggiunge un’incremento della velocità di clock del 15% grazie a miglioramenti del singolo processo produttivo su di un esemplare di core Arm Cortex-A72, sulla produzione di SRAM e sulla riduzione della superficie relativa ai circuiti analogici. Questo significa che il nuovo procedimento sarà in grado di produrre un maggior numero di chip per wafer. Il processo è stato pensato per apparecchiature di tipo mobile, internet e applicazioni di calcolo ad alte performance. Il progetto completo dell’infrastruttura a 5 nm, TSMC prevede allo stesso modo la fornitura di strumenti online per scenari legati al flusso di progettazione sul silicio. Questi strumenti saranno pertanto utilizzabili al meglio anche nell’ambito della nuova tecnologia a 5 nm.
