SK hynix introdurrà memorie DDR4 da 1Znm da 16 GB

SK Hynix, noto fornitore di memoria DRAM e flash sudcoreano, ha sviluppato una memoria di DDR4 da 16 gigabit realizzato con un processo produttivo da 1Z nanometri (1Znm). Il processo produttivo da 1Z nm non richiede l’ausilio della Extreme ultraviolet lithography (EUV), una tecnologia costosa, e nel momento in cui vi è data la possibilità di non utilizzarla conferisce al chip un aumento del rapporto qualità/prezzo.

I nuovi moduli di memoria DRAM da 1Znm supportano  velocità di trasferimento dati fino a 3200 Mbps. L’azienda sudcoreana ha migliorato anche le performance a livello energetico, in quanto vi è una riduzione del consumo di energia pari al 40 % rispetto ai moduli di eguale densità, ma realizzati con un processo produttivo differente, come nel caso dei moduli 1Ynm.

I nuovi moduli DDR4 da 16 gigabit realizzati con un processo produttivo da 1Z nm saranno disponibili su vasta scala dal prossimo anno. Inoltre SK hynix prevede di estendere l’utilizzo di tali chip su vari sistemi, come LPDDR5, DRAM mobile e memorie HBM3.

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