Samsung: nuova memoria HBM2E high-bandwidth
La nuova soluzione, Flashbolt, è la prima high bandwidth memory (HBM2E) a garantire un trasferimento dati 3.2 gigabits per secondo (Gbps) per pin.
Samsung Electronics Co., Ltd., leader mondiale nella tecnologia degli advanced semiconductor, ha presentato oggi il suo nuovo prodotto: una memoria ad elevata larghezza di banda (HBM2E). La novità è stata annunciata alla NVIDIA GPU Technology Conference (GTC). Si tratta ovviamente di una scelta voluta, dal momento che nvidia rappresenta uno dei maggiori utilizzatori di memorie HBM2. grazie al loro notissimo processore GV100.
HBM2E promette di garantire i più elevati livelli di performance DRAM per l’utilizzo nei supercomputer di prossima generazione, nei sistemi grafici ed in ambito di prodotti per l’ìIntelligenza Artificiale (AI).
La tecnologia Flashbolt KGSDs (known good stacked die) di Samsung si basa su otto strati di memoria 16-Gb. Ogni strato è interconnesso tramite TSVs (through silicon vias) in in una configurazione 8-Hi stack. Di conseguenza, ciascun package Flashbolt presenta un bus a 1024-bit con una velocità di trasferimento dati di 3.2 Gbps per pin.
In tal modo è garantita una larghezza di banda per KGSD che arriva a 410 GB/s e ciò la renderà più veloce di circa il 33 per cento rispetto alla generazione precedente, HBM2. Ricordiamo che Flashbolt ha una densità di 16Gb per die, raddoppiando in tal modo la capacità della versione attuale. Così, grazie a questi miglioramenti, un singolo package Samsung HBM2E potrà offrire una larghezza di banda pari a 410 gigabyte per second (GBps) e 16 GB di memoria.
Ricordiamo le versioni di HDM2:
- Flarebolt – 4/8 GB di capacità totale, 2 GB/s di data transfer massimo e tecnologia 20nm.
- Aquabolt – 8 GB di capacità totale, 2.4 GB/s di data transfer massimo e tecnologia 20nm.
- Flashbolt – 16 GB di capacità totale, 3.2 GB/s di data transfer massimo.
Per incrementare la velocità di trasferimento sino a 3.2 Gbps, Samsung ha dovuto impiegare metodi diversi per ridurre l’interferenza collaterale sul clock tra gli oltre 5000 TSV. Tuttavia l’azienda non ha parlato di questo nel comunicato ufficiale. Già lo scorso anno Samsung mostrò alcuni dei trucchi utilizzati per incrementare la larghezza di banda delle proprie memorie Aquabolt. Da questo si evince che la maggior parte di tali metodi si sia evoluta a favore di Flashbolt.
Infatti possiamo sottolineare come l’annuncio di Samsung non dichiari che l’azienda abbia iniziato una massiccia produzione delle proprie memorie Flashbolt. Ciò significherebbe che il livello di sviluppo della tecnologia sia definito, ma non sia ancora pronto per la distribuzione in massa di tali chip.
Di seguito le dichiarazioni di Jinman Han, senior vice president of Memory Product Planning and Application Engineering Team in Samsung Electronics:
“Le performances di massimo livello di Flashbolt consentiranno soluzioni avanzate. I settori che ne beneficeranno sono i data-center di prossima generazione, l’Intelligenza Artificiale, il machine-learning e le applicazioni grafiche. Continueremo ad espandere la nostra offerta DRAM premium, ed a migliorare il nostro segmento delle memorie ‘high-performance, high capacity, e low power’ per assecondare le richieste di mercato.”
