• Tesla abbandona Nvidia e rilascia proprio chip AI

    Tesla abbandona Nvidia e rilascia proprio chip AI

    Tesla Motors ha annunciato lo sviluppo in casa del processore destinato alla AI delle proprie autovetture a guida autonoma che possiedono la caratteristica Autopilot. Per le funzioni Autopilot l’azienda faceva in precedenza riferimento al processore NVIDIA DGX. Battezzato Tesla FSD Chip (full self-driving), il processore è stato distribuito nelle ultime versioni di  Model S e…

  • Xe-GPU Intel corteggia Samsung per la manifattura?

    Xe-GPU Intel corteggia Samsung per la manifattura?

    Intel corteggia Samsung? Raja Koduri, responsabile del progetto Intel Xe-GPU, si è recentemente trovato nei pressi di uno stabilimento per la lavorazione del silicio di proprietà di Samsung. L’incontro è avvenuto subito dopo l’annuncio dell’azienda relativo alla tecnologia 5 nm EUV. L’avvistamento di Koduri lascia pensare ad un tentativo di Intel di esplorare le potenzialità…

  • Samsung: il sensore di impronte digitali ingannato da stampe 3D

    Samsung: il sensore di impronte digitali ingannato da stampe 3D

    Negli ultimi anni, i produttori di smartphone hanno implementato funzionalità avanzate per consentire agli utenti di proteggere i propri dispositivi, utilizzando lettori di impronte digitali, mappatura dei volti e persino sensori che mappano le vene del sangue nel palmo della mano. Ma ci sono ancora modi per aggirare tali misure: un utente ha scoperto che…

  • Samsung sviluppa la terza generazione di memorie a 10nm.

    Samsung sviluppa la terza generazione di memorie a 10nm.

    Come ben sapete la categoria delle memorie è in continuo miglioramento, e per far sì che questo accada diverse aziende sviluppano memorie con diverse specifiche. Samsung ha da poco sviluppato la terza generazione di memorie a 10nm senza sfruttare il processo produttivo EUV(Extreme Ultra-Violet). Il modello 1z-nm sostituisce il precedente 1y-nm, questo dopo solo 16…

  • Samsung sviluppa la prima DRAM a 10nm di terza generazione

    Samsung sviluppa la prima DRAM a 10nm di terza generazione

    Samsung Electronics ha annunciato di aver sviluppato una nuova DRAM di terza generazione. Si tratta in particolare di DRAM 10-nanometer-class (1z-nm), otto-gigabit (Gb), Double Data Rate 4 ( ddr4). Il prodotto risulta primo nel proprio genere a livello industriale. L’azienda ha svelato la novità ad appena 16 mesi dall’entrata in produzione di massa della DDR4…