Samsung sviluppa la terza generazione di memorie a 10nm.
Come ben sapete la categoria delle memorie è in continuo miglioramento, e per far sì che questo accada diverse aziende sviluppano memorie con diverse specifiche. Samsung ha da poco sviluppato la terza generazione di memorie a 10nm senza sfruttare il processo produttivo EUV(Extreme Ultra-Violet). Il modello 1z-nm sostituisce il precedente 1y-nm, questo dopo solo 16 mesi di lavoro.
Questo è il primo chip DDR4 da 8Gb, e porterebbe miglioramenti, ma attenzione, non solo a livello prestazionale; grazie a queste memorie, Samsung velocizzerà l’evoluzione per un futuro passaggio alle DDR5 e DDR6(incluse le categorie minori, come le LPDDR ad esempio). Questo chip sarà dedicato al settore premium, quindi a dispositivi high-end, come i server aziendali di nuova generazione o PC di fascia alta. La produzione aumenterà più del 20% e inizierà la seconda metà di quest’anno, il lancio è previsto per il 2020.
Il vice direttore esecutivo della gestione delle DRAM e della tecnologia Jung-bae Lee ha dichiarato che questo lavoro ha portato una stabilità nella produzione di memorie ad alte prestazioni ed efficienza energetica; ha anche dichiarato che punterà a supportare i clienti globali, anche con la proliferazione nel mercato premium.
Finalmente una svolta nel mercato delle memorie, credete anche voi?
