Secondo quanto riferito, Samsung Electronics sta sviluppando la sua memoria V-NAND di settima generazione con tecnologia di stacking 3D ultra-high. Il primo modello presenterà almeno 160 livelli, i modelli successivi ne offriranno di più. Samsung che non ha mai voluto cedere l’iniziativa tecnologica alla cinese YMTC, dovrebbe lanciare la prima V-NAND a 160 strati nel periodo in cui il flash NAND 3D a 128 strati di YMTC raggiungerà la produzione di massa, verso la fine del 2020.
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Il cuore dello stack 3D ultra-high è la tecnologia proprietaria Double Stack di Samsung. La tecnologia a doppio stack crea buchi di elettroni in due tempi separati affinché la corrente attraversi i circuiti. I chip a stack singolo di attuale generazione creano questi buchi una volta per tutto lo stack del ciclo. Si prevede che il flash NAND a 160 strati annuncerà un aumento del 67% delle densità per confezione rispetto ai chip a 96 strati sul mercato. Le densità potrebbero anche essere aumentate con altri mezzi, come passare a nuovi nodi di fabbricazione di semiconduttori e PLC (5 bit per cella), attualmente in fase di sviluppo da KIOXIA.
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