SK Hynix Inc. ha annunciato oggi di aver sviluppato una memoria DRAM HBM2E con la più alta bandwidth del mercato. La nuova HBM2E dichiara una bandwidth superiore di circa il 50 per cento rispetto alla precedente HDM2. Ed una capacità superiore del 100 per cento.
La memoria SK Hynix HBM2E supporta oltre 460 GB (Gigabyte) al secondo di bandwidth basata sulle performance di velocità di 3.6 Gbps (gigabits per secondo) per pin con 1,024 data I/Os (Inputs/Outputs). Grazie all’utilizzo di tecnologia TSV (Through Silicon Via), vengono sovrapposti verticalmente sino ad un massimo di otto chips 16-gigabit, a formare un singolo package denso da 16 GB di capacità di dati.
Quindi la HBM2E rappresenta una soluzione di memoria ottimale per la quarta Era Industriale, a supporto di GPU ad alte prestazioni, supercomputer, machine learninge sistemi di intelligenza artificiale che richiedono il massimo livello di performance di memoria. A differenza dei prodotti di memoria DRAM consumer, che utilizzano un package classico modulare per il montaggio su schede di sistema, i chips HBM sono strettamente interconnessi ai processori, come GPU e chips logici, distanti solo pochi µm. Ciò per consentire un trasferimento dati ancora più veloce.
Jun-Hyun Chun, Head of HBM Business Strategy, ha dichiarato:
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SK Hynix ha stabilitola propria leadership tecnologica a partire dal rilascio nel 2013 della prima HBM. SK Hynix lancerà la produzione di massa nel 2020. Entrerà sul mercato HBM2E, e continuerà a rafforzare la propria leadership nel mercato delle DRAM premium.
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