Micron Produzione di DRAM in processo 1z Nanometri

Micron Technology, Inc. ha annunciato oggi il successo nello scaling di DRAM, diventando la prima azienda produttrice di memoria ad iniziare la produzione di massa di prodotti DDR4 a 16 Gb attraverso la tecnologia 1z nm.

di Luigi Morelli 20 Agosto 2019 2 min di lettura

Secondo le dichiarazioni di Scott DeBoer, executive vice president of Technology Development per Micron Technology,

Lo sviluppo e la produzione di massa di nodi DRAM con il più piccolo valore di grandezza rappresenta una dimostrazione delle capacità produttive di Micron. Specialmente in un momento in cui lo scaling di DRAM sta diventando particolarmente complesso. Come primi sul mercato, il nostro posizionamento ci permette di offrire soluzioni ad alto valore per un elevato numero di applicazioni di alto livello per i nostri clienti.

Micron DRAM 1z

Il prodotto Micron a 1z nm 16 Gb ddr4 rilascia sostanzialmente una maggiore densità per bit, e di conseguenza maggiori vantaggi legati alle prestazioni ed ai minori costi, nei confronti della precedente generazione 1Y nm node. Questo non fa che rafforzare la continuità nel progresso di Micron nella produzione di migliorie relative alle linee di prodotto DRAM per il calcolo (DDR4), mobile DRAM (LPDDR4) e grafica (GDDR6). Il bilancio tra efficienza e prestazioni diventerà un parametro discriminante chiave per le applicazioni, ivi incluse intelligenza artificiale, veicoli autonomi, 5G, mobile devices, grafica, giochi, infrasstrutture di rete e server.

Micron ha iniziato lo spostamento verso la tecnologia a 1z nm attraverso la produzione di massa delle proprie soluzioni di memoria a 16 Gb DDR4. La produzione attraverso nodi più piccoli offre diversi benefici, come ad esempio la riduzione del 40 per cento nel consumo energetico rispetto alle precedenti generazioni di prodotti basati su DDR4 a 8 Gb. Il portfolio globale di Micronswui prodotti a 1z nm DDR4 indirizza le sempre crescenti richieste per maggiori prestazioni, densità più elevate e consumo energetico ridotto nei data center moderni.

Micron 1z nm process

In altyra sede, Micron ha anche annunciato di aver iniziato la consegna di DRAM monolitica ad alrissima capacità da 16 Gb low-power double data rate 4X (LPDDR4X) in packages UFS-based multichip (uMCP4). I prodotti Micron 1z nm LPDDR4X e uMCP4 risolvono i problemi legati alle richieste dei produttori di apparati mobile, alla continua ricerca di bassi consumi e package ridotto per progettare devices con fattori di forma interessanti ed una maggiore battery life.