Le memorie flash NAND montante a bordo di SSD e M.2 sono in continua evoluzione e sviluppo e differiscono in base al numero di bit presenti per cella e per tale motivo si distinguono memorie NAND di tipo : SLC (single level cell, un bit); MLC (multi-level cell, due bit); TLC (triple-level cell, tre bit); QLC (quad-level cell, quattro bit). Ogni cella è in grado di memorizzare valori attraverso diversi livelli di tensione, che variano in modo esponenziale in base al numero di bit per cella (2^1, 2^2, 2^3 o 2^4) .
Toshiba dopo aver riscosso un certo successo al “Flash Memory Summit” ha annunciato lo sviluppo di PLC NAND (5 bit per cella). Il nuovo standard PLC offre maggiore “densità” rispetto ai suoi predecessori e deve essere in grado di memorizzare 32 diversi livelli di tensione (2^5), e tutto ciò potrebbe costituire un problema nella velocità e longevità.
Toshiba è fiduciosa per quanto concerne tale tecnologia, in quanto il protocollo NVMe e ZNS mitigheranno questi grattacapi. Zoned Namespaces ,di per sé riduce la write amplification, riducendo la necessità dell’over-provisioning e l’uso della DRAM interna al controller, migliorando throughput e latenza.
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Toshiba è fiduciosa ma si dovrà aspettare il rilascio ufficiale e Benchmark del nuovo standard PLC NAND per verificare le effettive performance.
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